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IXFB 60N80P
60
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
120
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V GS = 10V
7V
6V
5V
100
80
60
40
20
0
V GS = 10V
7V
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
60
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 30A Value
v s. Junction Temperature
55
50
V GS = 10V
7V
2.8
V GS = 10V
45
40
6V
2.4
35
30
25
20
15
2
1.6
1.2
I D = 60A
I D = 30A
10
5
0
5V
0.8
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 30A Value
vs. Drain Current
70
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current v s.
Case Temperature
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
60
2.4
2.2
2
1.8
1.6
50
40
30
1.4
1.2
1
0.8
T J = 25oC
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T J - Degrees Centigrade
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IXFB72N55Q2 功能描述:MOSFET 72 Amps 550V 0.07 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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